現在、気候変動問題への解決に向けて、世界中で脱炭素化に向けた動きが進んでおります。 そのために、自動車業界においてはEV(電気自動車)の普及が必須と言われており、Siよりも高耐圧性に優れたSiCパワー半導体に注目が集まっております。当社はSiCの製造に不可欠なプロセスであるレーザアニール装置のリーディングカンパニーとして、脱炭素化社会へ貢献しております。
ソリューション
レーザアニール
EV普及に不可欠なSiCパワー半導体、レーザアニール装置で脱炭素化社会に貢献
世界の課題
- 自動車業界では、脱炭素化社会に向けてEVの普及が必須。Siよりもエネルギーロスに優れたSiCに注目が集まっている。
- デバイスメーカーでは早期にSiCパワー半導体の量産・供給体制の確立が必須
解決したこと、できること
- SiCパワー半導体製造工程の、SiCと金属を合金化させて電気特性を改善するプロセスにて、当社のレーザアニール装置が不可欠なプロセスとして、世界中で量産に貢献。
EVにSiCパワー半導体が求められる理由
SiCは、Siと比較し以下の様なメリットがあります。
・ 低抵抗：Siよりも不純物濃度を高くする事が出来るため、ドリフト速度を薄くし、高耐圧でもオン抵抗が低いデバイスを作る事が可能
・ 高速動作：高耐圧を維持しながら、SBDやMOSFETなどの動作速度の速いデバイスを使用が可能。
・ 高温動作：バンドギャップがSiの約3倍広いため、より高温での動作が可能
EVの各種ユニットに使用されているSiCパワー半導体
なぜ、SiCパワー半導体製造にレーザアニール装置が必要なのか？
シリサイド化：SiCパワー半導体の製造工程では、ウェハー裏面のSiCと金属を熱処理によって合金化させて電気特性を改善するシリサイド化プロセスにおいて、レーザアニール装置が使用されます。この工程では、裏面(レーザ照射側)の温度を約1000℃まで上げる一方、回路が形成されている表面(非照射面)の温度は100℃以下に抑える必要があり、局所的な熱処理を得意とするレーザニールプロセスが選ばれております。
当社のSiC用レーザアニール装置の実績
当社はSiCが注目され始めた10年程前から、既にSiCシリサイド化用のレーザアニール装置の販売を行っており、2013年に初号機を納入して以来、70台を超える装置を全世界に販売し、各デバイスメーカー様の生産を支えております。当社は、今後も継続して高品質なレーザアニール装置を供給し続けていく事により、成長が期待される市場の発展及び脱炭素化社会の実現に貢献していく所存です。
