レーザアニール

近年、次世代パワー半導体と言われているSiCへの注目が高まっております。SiCはSiと比較しバンドギャップ約3倍、絶縁破壊電界強度は約10倍と高くデバイス性能での優位性を有していますが、材料コスト、プロセスコストが高価であり、電鉄や送電設備向け等での採用が一般的でした。 一方、各国が掲げる排ガス規制強化の波を受け電気自動車（EV、PHEV、HEV）、EV用充電ステーションなど民生向けに急速な広がりを見せております。これはSiCの大口径化、生産量の向上、プロセスの効率化などの企業努力が積み重なり民生品の要求に耐えうるコストに下がる見通しが出てきた背景があります。

当社ではSiC用レーザアニール装置としレーザ光源に第3高調波レーザ（UV）を採用したモデル SWA-20USと、第2高調波レーザ（Green）を採用したSWA-90GDの2機種を準備しております。

①SICデバイスの厚み

GreenレーザはUVレーザと比較し、金属に対する吸収率が低い為、アニール条件としては高いフルエンスでの照射となります。従いまして一般的に、100~120μmより薄いデバイスに対しては熱影響が出やすい傾向にあります。

③金属膜（Ni）に対する吸収率

レーザの波長によって金属膜に対する吸収率が異なります。
同じアニール結果を求める場合、反射率が低い（＝吸収率が高い）方がエネルギ投入量が少なくて済みます。逆にエネルギ投入量が大きいとデバイスへの熱影響が出やすくなります。